针对目前基于点云的三维目标检测算法中小目标检测效果差的问题，提出了基于改进PointPillars模型的三维目标检测方法。首先，改进了PointPillars模型中的pillar特征网络，提出了一个新的pillar编码模块，在编码网络中引入了平均池化和注意力池化，充分考虑了每个pillar模块的局部详细几何信息，提高了每个pillar模块的特征表示能力，从而提升了模型的小目标检测性能。其次，基于ConvNeXt改进了骨干网络中的二维卷积下采样模块，使模型在网络特征提取阶段能够提取丰富的上下文语义信息和全局特征，从而增强了算法的特征提取能力。在公开数据集KITTI上进行验证，实验结果表明，所提方法具有更高的检测精度，相较于原网络，改进后的算法的平均检测精度提升了3.63个百分点，证明了该方法的有效性。

随着科学技术的迅猛发展，信息采集与融合趋于多元化和复杂化。单一的传感器已经无法满足需求。因此，多传感器信息融合技术开始广泛应用于各行各业，并提高了信息处理的准确性和完整性。从概念、结构与分类、关键算法的研究和实际应用等方面对多传感器信息融合技术进行了介绍，并总结了该技术的发展趋势与未来前景。

为了提高以TADF材料作为主体、天蓝色荧光材料作为客体的混合薄膜的OLED器件光电性能, 我们调整了器件结构, 使主体材料发挥其优势。制备了基本结构为ITO/NPB(40 nm)/DMAC-DPS∶x%BUBD-1(40 nm)/Bphen(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件。研究了主-客体材料在不同掺杂浓度下的OLED器件的光电特性。为了提高主体材料的利用率, 在空穴传输层和发光层之间加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层; 然后, 在阳极和空穴传输层之间加入HAT-CN作为空穴注入层, 形成HAT-CN/NPB结构的PN结, 有效降低了器件的启亮电压(2.7 V)。测量了有无HAT-CN的单空穴器件的阻抗谱。结果表明, 在最佳掺杂比例(2%)下, 器件的外量子效率(EQE)达到4.92%, 接近荧光OLED的EQE理论极限值; 加入10 nm的DMAC-DPS作为间隔层, 使得器件的EQE达到5.37%; HAT-CN/NPB结构的PN结有效地降低了器件的启亮电压(2.7 V), 将OLED器件的EQE提高到5.76%; HAT-CN的加入提高了器件的空穴迁移率, 降低了单空穴器件的阻抗。TADF材料作为主体材料在提高OLED器件的光电性能方面具有很大的潜力。

研究采用乙酸酐为溶剂, NS-乙酸酐法制备N-叔丁基-双(2-苯并噻唑)次磺酰胺(TBSI), 通过FTIR, XRD, UV-Vis和TG-DTA对其进行检测和表征, 揭示出TBSI的微观结构和内在规律性。 FTIR揭示了TBSI分子内部各元素之间的化学键键型。 XRD从晶胞参数、 晶面指数等晶体学数据, 变换出TBSI晶体微观结构, 完成TBSI物相组成和结构的定性鉴定。 UV-Vis检测出了TBSI在228.3, 281.3和298.3 nm有三个吸收峰, 分别为TBSI分子中的n→σ*, π→π*, n→π*的电子跃迁产生的, 为企业TBSI产品质量检测, 提供了基础数据。 TG-DTA检测出TBSI的质量变化与热效应两种信息, DSC曲线在46.5, 188.9和368.5 ℃分别出现了吸收峰, 46.5 ℃吸收峰是样品残留少许溶剂的挥发产生的, 188.9和368.5 ℃分别为相变峰和分解峰, TBSI分解温度偏高, 为采用硫化仪研究TBSI的橡胶硫化性能提供参考。 研究为企业选定工作标准品, 对TBSI工业化生产进行跟踪检测, 评判TBSI的产品性能指标, 填报立项TBSI化工行业标准的申报, 撰写标准草案提供基础实验数据。

使用两种或者更多种类的富勒烯衍生物作为受体可以使poly(3-己基噻吩)（P3TH）系的混合异质结太阳能电池效率明显提升。 这样的提升源于当受体使用富勒烯多重加合物的最低未占轨道（LUMO）提升而使其开路电压升高。 虽然其他聚合物也同样能获得高的开路电压, 但是大多数的聚合物却不像P3TH一样获得性能提升, 在与像苯基-C61-丁酸甲酯 (bis-PCBM)或者the indene-C60 bis-adduct (ICBA)混合后表现出下降的光电流。 在此, 我们研究这些性能改变的原因。 使用［6,6］-苯基C70-丁酸甲酯(PC70BM), ICBA和bis-PC70BM作为受体并且PTB7作为给体, 其结构为: ITO/PEDOT: PSS/活性层/LiF/Al, 聚合物太阳能电池的表现的性能分别为7.29%, 4.92% 和3.33%。 性能的改变可能主要归因于不同受体影响器件激子产生和电荷收集。

采用双氧水为氧化剂, 一步法制备出N-叔丁基-2-苯骈噻唑次磺酰胺(TBBS), 通过FTIR, UV-Vis, XRD, TG-DSC对其进行检测和表征, 揭示出TBBS 的微观结构和内在规律性。 FTIR揭示了TBBS 分子内部的各元素之间的化学键键型, 确定最终产物为TBBS。 UV-Vis检测出TBBS在228.3, 281.5, 298.3 nm有三个吸收峰, 分别由n→σ*, π→π*, n→π*电子跃迁产生的, 为企业TBBS产品质量检测, 推测TBBS的结构提供实验依据。 XRD从晶胞参数、 晶面指数等晶体学数据, 变换出TBBS晶体微观结构, 完成TBBS物相组成和结构的定性鉴定。 TG-DSC检测出TBBS的质量变化与热效应两种信息, TBBS的DSC曲线很复杂, 53.3 ℃有一个很小的放热峰, 由TBBS中所含少量叔丁胺的氧化产生; 117.4, 269.2, 373.7 ℃存在三个吸热峰, 分别是TBBS 的相变峰和分解峰, TBBS 分解温度偏高, 为采用硫化仪研究TBBS的橡胶硫化性能提供参考。 本研究为企业选定工作标准品, 对TBBS工业化生产进行跟踪检测, 评判TBBS的产品性能指标, 填报立项TBBS化工行业标准的申报, 撰写标准草案提供基础实验数据。

采用二步法合成出O,O-二丁基二硫代磷酸锌(ZBPD), 通过UV-Vis, FTIR, TG-DSC对其进行检测和表征, 揭示出ZBPD的微观结构和内在规律性。 UV-Vis检测出了ZBPD在212.0和227.0 nm有二个吸收峰, 分别是n→σ*和π→π*电子跃迁产生的, 吸收峰强度随ZBPD浓度呈规律性变化, 为企业ZBPD产品质量检测, 提供了基础数据。 FTIR揭示了ZBPD分子内部的各元素之间的化学键键型。 TG-DSC检测出ZBPD的质量变化与热效应两种信息, ZBPD的DSC曲线很复杂, 84.3 ℃存在一个很宽的吸收峰, 245.0, 344.3, 476.1, 518.7 ℃存在四个放热峰, 和ZBPD分子结构和少量杂质有关, ZBPD分解温度偏高, 为采用硫化仪研究ZBPD的橡胶硫化性能提供参考。 本研究为企业选定工作标准品, 对ZBPD工业化生产进行跟踪检测, 评判ZBPD的产品性能指标, 填报立项ZBPD化工行业标准的申报, 撰写标准草案提供基础实验数据。

以双氧水为氧化剂, 采用二步法合成出了一硫化四异丁基秋兰姆 (TiBTM), 通过FTIR, XRD, TG-DSC对其进行检测和表征, FTIR揭示了TiBTM分子内部的各元素之间的化学键键型, XRD从晶胞参数、 晶面指数等晶体学数据, 反映了TiBTM晶体微观结构, TG-DSC检测出了TiBTM的质量变化与热效应两种信息, TiBTM的相变和分解温度分别为75.1和287.0 ℃, 样品纯度很高, 没有发现其他杂质, TiBTM的分解温度偏高, 为采用硫化仪研究TiBTM的橡胶硫化性能, 揭示TiBTM多种功能性提供依据。 本研究为企业采取清洁生产工艺制备TiBTM, 提供了最佳工艺条件和参数, 选定工作标准品, 对TiBTM工业化生产进行跟踪检测, 评判TiBTM的产品性能指标, 提供基础实验数据。

目的: 观察下关穴氦氖激光穴位照射模拟针刺治疗慢性每日头痛的有效性和比较该疗法与红光照射作为安慰剂对照之间存在的差异性。方法: 以氦氖激光穴位照射模拟针刺和红光照射作为安慰剂对照进行比较, 选取下关穴治疗慢性每日头痛, 开展随机、对照、双盲的临床研究。采用头痛日记与中医证候疗效评分判定疗效。结果: 受试者在激光照射组治疗4周后与治疗前比较, 在发作次数、疼痛程度方面均有显著改善(P＜0.05), 与红光照射组同期相应指标比较均存在统计学差异(P＜0.05)。受试者治疗后中医症候疗效评分均呈不同下降, 主症评分相当, 次症评分激光照射组优于红光对照组, 存在统计学差异性(P＜0.05)。结论: 与红光照射作为安慰剂对照相比, 下关穴氦氖激光穴位照射模拟针刺治疗慢性每日头痛确有一定疗效。

为了获得薄膜材料吸收率与深紫外激光照射能量密度间的对应关系，掌握薄膜材料深紫外吸收特性，应制定相应的吸收测量规范。介绍了激光量热法的原理及测试流程，分析了测试过程中的剂量效应、非线性吸收和不可恢复吸收等现象，提出了利用激光量热法测量应用于波长193 nm紫外光刻系统的氟化物薄膜材料吸收率的方法，并进行了实际测量。根据所建立的测量方法，获得熔石英基底材料在193 nm紫外光照射下的剂量效应及出现不可恢复吸收现象时相应的激光能量密度，进而测量出基底材料吸收率与激光能量密度之间的关系；通过热蒸发对基底镀氟化镁及氟化镧单层膜，测量镀膜后样品的吸收率与激光能量密度的关系，通过与镀膜前吸收率的对比，计算了两种薄膜材料吸收率与激光能量密度的关系，推算出薄膜材料在实际工作状态时的吸收率，并得到不同沉积温度下氟化镧薄膜材料吸收率、粗糙度与波纹度。实验结果证实了新提出测量方法的可行性，测量结果为改善系统成像质量以及延长元件使用寿命提供支持。